Doktorandin / Doktoranden Job
für grundlegende Untersuchungen der lokalen Quanteneffizienz und des
Ladungsträgertransports in InGaN-Quantenfilmen mittels hochaufgelöster
Photolumineszenz-Spektroskopie.
Hintergrund der Arbeit ist die Entwicklung von auf Gallium-Nitrid (GaN)
basierenden Hochleistungs-Leuchtdioden (LEDs) für Anwendungen in der
Allgemeinbeleuchtung, für Display-Hinterleuchtung (Fernseher, Computer-
monitore)
und für die Automobilindustrie. Die sehr effiziente Lichterzeugung
findet in den InGaN (Indium-Gallium-Nitrid) Quantenfilmen (»quantum
well«,
QW) dieser LEDs statt. Von räumlich hochaufgelösten Mikro-Photolumi-
neszenz-Untersuchungen wissen wir, dass die Eigenschaften der
QWs –
u. a. die Effizienz – lokal stark variieren. In der Arbeit soll untersucht
werden,
wie diese Fluktuationen der QW-Eigenschaften den Ladungsträgertransport
über Drift, Diffusion und Tunneln beeinflussen. Welchen Einfluss
hat die auf
einer Längenskala von Mikrometern gemessene lokale Quanteneffizienz
auf
die Gesamteffizienz der LEDs? Wie ändern sich Transporteffekte
und Effizienz,
wenn die LEDs bei hohen Temperaturen bis zu 250°C
betrieben werden? Gibt
es prinzipielle Unterschiede zwischen UV-LEDs mit
binärem GaN-QW und
LEDs im sichtbaren Spektralbereich mit ternären
InGaN-QWs? Ziel der Arbeit
ist die Weiterentwicklung des Verständnisses
der physikalischen Mechanismen,
die die Quanteneffizienz in diesen Hochleistungs-LEDs begrenzen, insbe-
sondere bei hohen Temperaturen.
Ihre Aufgaben sind die Charakterisierung von GaN-basierten LEDs mit
der
Methode der Mikro-Photolumineszenz. Sie werden dieses komplexe
Experiment selbstständig betreuen und weiterentwickeln. Dabei lernen
Sie
moderne Methoden der Spektroskopie und Mikroskopie kennen und
werden
sich intensiv mit optischen Messmethoden auseinandersetzen. Ein
wichtiger
Bestandteil der Arbeit wird auch die Modellierung der physikalischen,
opto-
elektronischen Eigenschaften der LEDs sein. Dabei werden Sie
Simulations-
methoden kennenlernen, die Ihnen bei der Interpretation der
Ergebnisse helfen.
Mit dieser Arbeit können Sie sich im Bereich Optoelektronik
spezialisieren.
Vorausgesetzt wird ein erfolgreich abgeschlossenes Hochschulstudium
(Diplom/Master) im Bereich Physik oder Mikrosystemtechnik sowie Spaß
am experimentellen Arbeiten im Team.
Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt
eingestellt.
Die Fraunhofer-Gesellschaft legt Wert auf die berufliche
Gleichstellung von
Frauen und Männern.
Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen richten sich nach dem Tarifvertrag
für den öffentlichen Dienst (TVöD). Die Stelle ist zunächst auf drei
Jahre
befristet. Bitte bewerben Sie sich online unter:
https://recruiting.fraunhofer.de/Vacancies/6359/Description/
1?customer=STANDARD
Fragen zu dieser Position beantwortet gern
Prof. Dr. Ulrich Schwarz, Telefon +49 761 5159-513,
ulrich.schwarz@iaf.fraunhofer.de
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